APTM120DA30T1G
Modulo; diodo/transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM120DA30T1G
Simbolo TME:
APTM120DA30T1G
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | diodo/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | ||
Corrente di drenaggio | 23A | ||
Cassa | SP1 | ||
Topologia | boost chopper, termistore NTC | ||
Montaggio elettrico | Press-in PCB | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,36Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 195A | ||
Potenza dissipata | 657W | ||
Tecnologia | POWER MOS 8® | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo80 g
Certificati
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* APTM120DA30T1GQuantità (Molteplicità: 15)
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Prezzo netto per quantità da 15 pz - 55.20 EURPrezzo lordo per quantità da 15 pz - 67.34 EUR
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