APTM120U10SCAVG
Modulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 86A; SP6; avvitabile; 3,29kW
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
APTM120U10SCAVG
Simbolo TME:
APTM120U10SCAVG
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | ||
Corrente di drenaggio | 86A | ||
Cassa | SP6 | ||
Topologia | transistor singolo + diodo in serie + diodo in parallelo | ||
Montaggio elettrico | avvitabile | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 0,12Ω | ||
Corrente di drain pulsata | 464A | ||
Potenza dissipata | 3,29kW | ||
Tecnologia | POWER MOS 7®, SiC | ||
Tensione porta-sorgente | ±30V | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo300 g
Certificati
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* APTM120U10SCAVGQuantità (Molteplicità: 3)
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Prezzo netto per quantità da 3 pz - 271.58 EURPrezzo lordo per quantità da 3 pz - 331.33 EUR
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