MSCSM120AM08CT3AG
Modulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 268A; SP3F; Press-in PCB
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Indicazione del produttore:
MSCSM120AM08CT3AG
Simbolo TME:
MSCSM120AM08CT3AG
Specifica
Produttore | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | diodo SiC/transistor | ||
Tensione drenaggio-fonte | 1,2kV | ||
Corrente di drenaggio | 268A | ||
Cassa | SP3F | ||
Topologia | semiponte MOSFET + diodi in parallelo, termistore NTC | ||
Montaggio elettrico | Press-in PCB | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 7,8mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 675A | ||
Potenza dissipata | 1,409kW | ||
Tecnologia | SiC | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo110 g
Certificati
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* MSCSM120AM08CT3AGQuantità (Molteplicità: 2)
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Prezzo netto per quantità da 2 pz - 324.70 EURPrezzo lordo per quantità da 2 pz - 396.13 EUR
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