VMO550-01F
Modulo; transistor singolo; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2,2kW
Produttore: IXYS
Indicazione del produttore:
VMO550-01F
Simbolo TME:
VMO550-01F
Specifica
Produttore | IXYS | ||
Tipo di modulo a semiconduttore | Transistor MOSFET | ||
Struttura del semiconduttore | transistor singolo | ||
Tensione drenaggio-fonte | 100V | ||
Corrente di drenaggio | 590A | ||
Cassa | Y3-DCB | ||
Montaggio elettrico | avvitabile, FASTON connettori | ||
Polarizzazione | unipolare | ||
Resistenza nello stato di conduzione | 2,1mΩ | ||
Corrente di drain pulsata | 2,36kA | ||
Potenza dissipata | 2,2kW | ||
Tecnologia | HiPerFET™ | ||
Genere di canale | arricchito | ||
Carico della porta | 2µC | ||
Tempo di prontitudine | 300ns | ||
Tensione porta-sorgente | ±20V | ||
Proprieta degli elementi semiconduttori | Uscita Kelvin | ||
Montaggio meccanico | avvitabile |
Peso lordo50 g
Certificati
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* VMO550-01FQuantità (Molteplicità: 1)
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