1N5806E3
Diodas: lygintuvinis; THT; 150V; 2,5A; Ifsm: 35A; Ufmax: 875mV; 25ns
NAUJOVĖ
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
1N5806E3
TME Simbolis:
1N5806E3
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Diodo tipas | lygintuvinis | |
Montavimas | THT | |
Maks. atgalinė įtampa | 150V | |
Laidumo srovė | 2,5A | |
Puslaidininkio struktūra | viengubas diodas | |
Talpa | 25pF | |
Maks. impulsinė srovė | 35A | |
Maks. tiesioginė įtampa | 0,875V | |
Maks. tiesioginė srovė | 2,5A | |
Nuotėkio srovė | 1µA | |
Atkūrimo laikas | 25ns |
Bruto masė0.52 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: THT universalūs diodai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* 1N5806E3Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 159 vnt. - 5.23 USDBendroji kaina už kiekius nuo 159 vnt. - 6.33 USD
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams