1N5809E3
Diodas: lygintuvinis; THT; 100V; 6A; Ifsm: 125A; Ufmax: 875mV; 30ns
NAUJOVĖ
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
1N5809E3
TME Simbolis:
1N5809E3
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Diodo tipas | lygintuvinis | |
Montavimas | THT | |
Maks. atgalinė įtampa | 0,1kV | |
Laidumo srovė | 6A | |
Maks. impulsinė srovė | 125A | |
Maks. tiesioginė įtampa | 0,875V | |
Atkūrimo laikas | 30ns |
Bruto masė0.44 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: THT universalūs diodai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* 1N5809E3Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 129 vnt. - 5.59 EURBendroji kaina už kiekius nuo 129 vnt. - 6.76 EUR
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams