1N5809US
Diodas: lygintuvinis; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ir: 5uA
NAUJOVĖ
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
1N5809US
TME Simbolis:
1N5809US
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Diodo tipas | lygintuvinis | |
Montavimas | SMD | |
Maks. atgalinė įtampa | 0,1kV | |
Laidumo srovė | 6A | |
Atkūrimo laikas | 30ns | |
Puslaidininkio struktūra | viengubas diodas | |
Talpa | 60pF | |
Korpusas | MELF | |
Maks. tiesioginė įtampa | 0,875V | |
Maks. tiesioginė srovė | 6A | |
Maks. impulsinė srovė | 125A | |
Nuotėkio srovė | 5µA |
Bruto masė0.11 g
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: SMD universalūs diodai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* 1N5809USVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 111 vnt. - 7.47 USDBendroji kaina už kiekius nuo 111 vnt. - 9.03 USD
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams