+1 500 000 siūlomų gaminių

7000 kasdien išsiunčiamų pakuočių

+300 000 klientų 150 šalyse

Quick Buy Mėgstamiausi
Krepšelis

Prašome susisiekti su savo rinkos atstovu. Pakvieskite mus į internetinį susitikimą.

2SD315AI

Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge


Gamintojas: POWER INTEGRATIONS

Gamintojo žymėjimas:
2SD315AI
TME Simbolis:
2SD315AI

Specifikacija

Gamintojas
POWER INTEGRATIONS
Puslaidininkinio modulio tipas
gate driver board
Topologija
IGBT pusinis tiltelis, MOSFET pusinis tiltelis
Montavimas
pin header
Darbinė temperatūra
-40...85°C
Technologija
SCALE™-1
Įtampos klasė
1,7kV
Dažnis
0,1MHz
Išėjimo srovė
18A
Išėjimo rūšis
IGBT valdiklis
Integrinių grandynų savybės
integruotas DC/DC keitiklis
Maitinimo įtampa
  • 0...16V DC
Bruto masė50 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai POWER INTEGRATIONS,
*
2SD315AI
0 sandėlyje TME
Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
Minimalus užsakymo kiekis: 1.
Kartotinumas: 1.
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 74.49 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 90.13 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 70.44 USDBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 85.23 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 6 vnt. - 67.40 USDBendroji kaina už kiekius nuo 6 vnt. - 81.55 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 12 vnt. - 64.36 USDBendroji kaina už kiekius nuo 12 vnt. - 77.87 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 48 vnt. - 63.80 USDBendroji kaina už kiekius nuo 48 vnt. - 77.19 USD