A1C15S12M3
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Gamintojas: STMicroelectronics
Gamintojo žymėjimas:
A1C15S12M3
TME Simbolis:
A1C15S12M3
Specifikacija
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | boost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 15A | |
Case | ACEPACK™1 | |
Application | Inverter, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 30A | |
Power dissipation | 142,8W | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė50 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai STMicroelectronics,
* A1C15S12M3Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 52.62 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 63.67 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 46.51 USDBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 56.28 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 44.88 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 54.31 USD