A1C15S12M3
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Gamintojas: STMicroelectronics
Gamintojo žymėjimas:
A1C15S12M3
TME Simbolis:
A1C15S12M3
Specifikacija
Manufacturer | STMicroelectronics | ||
Type of semiconductor module | IGBT | ||
Semiconductor structure | diode/transistor | ||
Topology | boost chopper, IGBT half-bridge x3, NTC thermistor, three-phase diode bridge | ||
Max. off-state voltage | 1,2kV | ||
Collector current | 15A | ||
Case | ACEPACK™1 | ||
Application | Inverter, motors | ||
Electrical mounting | Press-in PCB | ||
Gate-emitter voltage | ±20V | ||
Pulsed collector current | 30A | ||
Power dissipation | 142,8W | ||
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė50 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai STMicroelectronics,
* A1C15S12M3Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 45.54 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 55.10 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 40.25 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 48.71 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 38.84 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 47.00 EUR