+1 500 000 siūlomų gaminių

6000 kasdien išsiunčiamų pakuočių

+300 000 klientų 150 šalyse

Quick Buy Mėgstamiausi
Krepšelis

Prašome susisiekti su savo rinkos atstovu. Pakvieskite mus į internetinį susitikimą.
Dokumentacija EN
Dokumentacija EN

A2P75S12M3

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A

Gamintojas: STMicroelectronics

Gamintojo žymėjimas:
A2P75S12M3
TME Simbolis:
A2P75S12M3

Specifikacija

Manufacturer
STMicroelectronics
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
transistor/transistor
Topology
IGBT half-bridge x3, NTC thermistor
Max. off-state voltage
1,2kV
Collector current
75A
Case
ACEPACK™2
Application
Inverter, motors
Electrical mounting
Press-in PCB
Gate-emitter voltage
±20V
Pulsed collector current
150A
Power dissipation
454,5W
Mechanical mounting
screw
Bruto masė50 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai STMicroelectronics
*
A2P75S12M3
Produktas pašalintas iš asortimento
Norėdami rasti panašius produktus, pasinaudokite šia specifikacijos lentele.