APT50GF120JRD
Modulis: IGBT; vienas tranzistorius; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
APT50GF120JRD
TME Simbolis:
APT50GF120JRD
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Puslaidininkinio modulio tipas | IGBT | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Maks. atgalinė įtampa | 1,2kV | |
Kolektoriaus srovė | 64A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Užtūros-emiterio įtampa | ±30V | |
Impulsinė kolektoriaus srovė | 225A | |
Technologija | NPT | |
Pakuotės tipas | vamzdelis | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė30 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDNorėdami rasti panašius produktus, pasinaudokite šia specifikacijos lentele.
Produktas pašalintas iš asortimento
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams