APT50GF120JRD
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 64A; SOT227B
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
APT50GF120JRD
TME Simbolis:
APT50GF120JRD
Specifikacija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Type of semiconductor module | IGBT | ||
Semiconductor structure | single transistor | ||
Max. off-state voltage | 1,2kV | ||
Collector current | 64A | ||
Case | SOT227B | ||
Electrical mounting | screw | ||
Gate-emitter voltage | ±30V | ||
Pulsed collector current | 225A | ||
Technology | NPT | ||
Kind of package | tube | ||
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė30 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDNorėdami rasti panašius produktus, pasinaudokite šia specifikacijos lentele.
Produktas pašalintas iš asortimento
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams