APT50GF120JRDQ3
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
APT50GF120JRDQ3
TME Simbolis:
APT50GF120JRDQ3
Specifikacija
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,2kV | |
Prąd kolektora | 64A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±30V | |
Prąd kolektora w impulsie | 225A | |
Technologia | Fast IGBT, FRED, NPT | |
Rodzaj opakowania | tuba | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Bruto masė30 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT50GF120JRDQ3Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 125.42 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 151.76 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 112.88 USDBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 136.59 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 99.75 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 120.69 USD
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams