B2D20120H1
Diodas: lygintuvinis Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 20A; TO247-2; 159W
Gamintojas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
B2D20120H1
TME Simbolis:
B2D20120H1
Specifikacija
Gamintojas | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Diodo tipas | lygintuvinis Schottky | |
Technologija | SiC | |
Montavimas | THT | |
Maks. atgalinė įtampa | 1,2kV | |
Laidumo srovė | 20A | |
Puslaidininkio struktūra | viengubas diodas | |
Korpusas | TO247-2 | |
Maks. tiesioginė įtampa | 1,78V | |
Maks. impulsinė srovė | 190A | |
Nuotėkio srovė | 40µA | |
Išsklaidoma galia | 159W | |
Pakuotės tipas | vamzdelis |
Bruto masė5.85 g
Sertifikatas
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: THT Šotkio diodai BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D20120H1
29 sandėlyje TME
Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 5.14 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 6.21 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 4.62 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 5.58 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 30 vnt. - 4.08 EURBendroji kaina už kiekius nuo 30 vnt. - 4.94 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 150 vnt. - 3.42 EURBendroji kaina už kiekius nuo 150 vnt. - 4.14 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 600 vnt. - 3.30 EURBendroji kaina už kiekius nuo 600 vnt. - 4.00 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdas:Tūba = 30 vnt.