G3R20MT12N
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 74A; SOT227B; przykręcany
Gamintojas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
G3R20MT12N
TME Simbolis:
G3R20MT12N
Specifikacija
Producent | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Typ modułu półprzewodnikowego | tranzystorowy MOSFET | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie dren-źródło | 1,2kV | |
Prąd drenu | 74A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Polaryzacja | unipolarny | |
Rezystancja w stanie przewodzenia | 20mΩ | |
Prąd drenu w impulsie | 240A | |
Moc rozpraszana | 365W | |
Technologia | G3R™, SiC | |
Rodzaj kanału | wzbogacany | |
Napięcie bramka-źródło | -5...15V | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Bruto masė35.39 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
105 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 47.67 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 57.68 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 45.80 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 55.42 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 44.94 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 54.37 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.