G3R20MT12N
Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Gamintojas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
G3R20MT12N
TME Simbolis:
G3R20MT12N
Specifikacija
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | single transistor | ||
Drain-source voltage | 1,2kV | ||
Drain current | 74A | ||
Case | SOT227B | ||
Electrical mounting | screw | ||
Polarisation | unipolar | ||
On-state resistance | 20mΩ | ||
Pulsed drain current | 240A | ||
Power dissipation | 365W | ||
Technology | G3R™, SiC | ||
Kind of channel | enhancement | ||
Gate-source voltage | -5...15V | ||
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė35.39 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
105 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 54.58 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 66.04 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 52.44 USDBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 63.45 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 51.45 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 62.25 USD
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.