G3R20MT12N
Modulis; vienas tranzistorius; 1,2kV; 74A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
G3R20MT12N
TME Simbolis:
G3R20MT12N
Specifikacija
Gamintojas | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,2kV | |
Dreno srovė | 74A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 20mΩ | |
Impulsinė dreno srovė | 240A | |
Išsklaidoma galia | 365W | |
Technologija | G3R™, SiC | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros-šaltinio įtampa | -5...15V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė35.39 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
95 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 47.23 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 57.15 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 45.38 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 54.91 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 44.52 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 53.87 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.