G3R20MT17N
Modulis; vienas tranzistorius; 1,7kV; 70A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Gamintojo žymėjimas:
G3R20MT17N
TME Simbolis:
G3R20MT17N
Specifikacija
Gamintojas | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,7kV | |
Dreno srovė | 70A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 20mΩ | |
Impulsinė dreno srovė | 300A | |
Išsklaidoma galia | 523W | |
Technologija | G3R™, SiC | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros-šaltinio įtampa | -5...15V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė35.44 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR
* G3R20MT17N
Gamintojo taikomas pakavimo būdas:Tūba = 10 vnt.