IXFN100N50P
Modulis; vienas tranzistorius; 500V; 75A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN100N50P
TME Simbolis:
IXFN100N50P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 500V | |
Dreno srovė | 75A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 49mΩ | |
Impulsinė dreno srovė | 250A | |
Išsklaidoma galia | 1,04kW | |
Technologija | HiPerFET™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 240nC | |
Atkūrimo laikas | 200ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±30V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė37.07 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
278 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 39.00 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 47.20 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 37.51 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 45.38 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 30 vnt. - 36.00 EURBendroji kaina už kiekius nuo 30 vnt. - 43.56 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.