IXFN170N30P
Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN170N30P
TME Simbolis:
IXFN170N30P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 300V | |
Drain current | 138A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 18mΩ | |
Pulsed drain current | 500A | |
Power dissipation | 890W | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 258nC | |
Reverse recovery time | 200ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė29.8 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN170N30PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 38.81 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 46.95 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 37.60 EURBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 45.50 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 35.11 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 42.48 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.