IXFN180N20
Module; 200V; 180A; SOT227B; 700W; HiPerFET™; 250ns; screw
NAUJOVĖ
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN180N20
TME Simbolis:
IXFN180N20
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Drain-source voltage | 200V | |
Drain current | 180A | |
Korpusas | SOT227B | |
On-state resistance | 12,5mΩ | |
Išsklaidoma galia | 700W | |
Technologija | HiPerFET™ | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Mechaninis montavimas | screw |
Bruto masė1 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN180N20Vienetų skaičius (Kartotinumas: 300)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 300 vnt. - 39.60 EURBendroji kaina už kiekius nuo 300 vnt. - 47.92 EUR