IXFN26N120P
Modulis; vienas tranzistorius; 1,2kV; 23A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN26N120P
TME Simbolis:
IXFN26N120P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,2kV | |
Dreno srovė | 23A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 0,5Ω | |
Impulsinė dreno srovė | 60A | |
Išsklaidoma galia | 695W | |
Technologija | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 255nC | |
Atkūrimo laikas | 300ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±40V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė37.12 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN26N120PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
7 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 43.27 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 52.35 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 38.21 USDBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 46.23 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 34.32 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 41.53 USD
Produktas prieinamas tik tol, kol baigsis jų atsargos
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.