IXFN32N100P
Modulis; vienas tranzistorius; 1kV; 27A; SOT227B; prisukamas; 690W
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN32N100P
TME Simbolis:
IXFN32N100P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1kV | |
Dreno srovė | 27A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 0,32Ω | |
Impulsinė dreno srovė | 75A | |
Išsklaidoma galia | 690W | |
Technologija | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 225nC | |
Atkūrimo laikas | 300ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±40V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė37.01 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N100PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 35.86 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 43.39 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 33.25 USDBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 40.23 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 31.61 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 38.25 USD
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.