IXFN32N120P
Modulis; vienas tranzistorius; 1,2kV; 32A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN32N120P
TME Simbolis:
IXFN32N120P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,2kV | |
Dreno srovė | 32A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 0,31Ω | |
Impulsinė dreno srovė | 100A | |
Išsklaidoma galia | 1kW | |
Technologija | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 360nC | |
Atkūrimo laikas | 300ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±40V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė37.27 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N120PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 94.06 USDBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 113.81 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 83.08 USDBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 100.53 USD
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 74.65 USDBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 90.33 USD
Retas produktas
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.