IXFN32N80P
Modulis; vienas tranzistorius; 800V; 29A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN32N80P
TME Simbolis:
IXFN32N80P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 800V | |
Dreno srovė | 29A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 0,27Ω | |
Impulsinė dreno srovė | 250A | |
Išsklaidoma galia | 625W | |
Technologija | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 150nC | |
Atkūrimo laikas | 250ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±40V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė36.98 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 29.51 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 35.70 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 26.60 EURBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 32.19 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 23.41 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 28.32 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.