IXFN32N80P
Module; single transistor; 800V; 29A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN32N80P
TME Simbolis:
IXFN32N80P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 800V | |
Drain current | 29A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,27Ω | |
Pulsed drain current | 250A | |
Power dissipation | 625W | |
Technology | HiPerFET™, PolarHV™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 150nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±40V | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė36.98 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN32N80PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 29.42 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 35.60 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 26.53 EURBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 32.09 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 23.34 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 28.24 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.