IXFN38N100P
Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN38N100P
TME Simbolis:
IXFN38N100P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | ||
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | ||
Semiconductor structure | single transistor | ||
Drain-source voltage | 1kV | ||
Drain current | 38A | ||
Case | SOT227B | ||
Electrical mounting | screw | ||
Polarisation | unipolar | ||
On-state resistance | 0,21Ω | ||
Pulsed drain current | 120A | ||
Power dissipation | 1kW | ||
Technology | HiPerFET™, Polar™ | ||
Kind of channel | enhancement | ||
Gate charge | 0,35µC | ||
Reverse recovery time | 300ns | ||
Gate-source voltage | ±40V | ||
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė37.24 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN38N100PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 39.35 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 47.62 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 36.88 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 44.62 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.