IXFN50N120SK
Modulis; vienas tranzistorius; 1,2kV; 48A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN50N120SK
TME Simbolis:
IXFN50N120SK
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 1,2kV | |
Dreno srovė | 48A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 50mΩ | |
Technologija | SiC | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 115nC | |
Atkūrimo laikas | 54ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | -5...20V | |
Puslaidininkinių elementų savybės | Kelvino išvadas | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė36.6 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS
* IXFN50N120SKNorėdami rasti panašius produktus, pasinaudokite šia specifikacijos lentele.
Produktas pašalintas iš asortimento
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.