IXFN60N80P
Modulis; vienas tranzistorius; 800V; 53A; SOT227B; prisukamas
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN60N80P
TME Simbolis:
IXFN60N80P
Specifikacija
Gamintojas | IXYS | |
Puslaidininkinio modulio tipas | MOSFET tranzistorinis | |
Puslaidininkio struktūra | vienas tranzistorius | |
Dreno-šaltinio įtampa | 800V | |
Dreno srovė | 53A | |
Korpusas | SOT227B | |
Elektrinis montavimas | prisukamas | |
Poliškumas | vienpolis | |
Varža laidumo būsenoje | 0,14Ω | |
Impulsinė dreno srovė | 150A | |
Išsklaidoma galia | 1,04kW | |
Technologija | HiPerFET™, Polar™ | |
Kanalo rūšis | praturtintasis | |
Užtūros krūvis | 250nC | |
Atkūrimo laikas | 250ns | |
Užtūros-šaltinio įtampa | ±30V | |
Mechaninis montavimas | prisukamas |
Bruto masė37.31 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 39.81 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 48.16 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 2 vnt. - 38.31 EURBendroji kaina už kiekius nuo 2 vnt. - 46.35 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 36.90 EURBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 44.65 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 35.70 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 43.20 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.