IXFN60N80P
Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXFN60N80P
TME Simbolis:
IXFN60N80P
Specifikacija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | MOSFET transistor | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Drain-source voltage | 800V | |
Drain current | 53A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Polarisation | unipolar | |
On-state resistance | 0,14Ω | |
Pulsed drain current | 150A | |
Power dissipation | 1,04kW | |
Technology | HiPerFET™, Polar™ | |
Kind of channel | enhancement | |
Gate charge | 250nC | |
Reverse recovery time | 250ns | |
Gate-source voltage | ±30V | |
Mechanical mounting | screw |
Bruto masė37.31 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: Transistor modules IXYS,
* IXFN60N80PVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 39.80 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 48.16 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 2 vnt. - 38.31 EURBendroji kaina už kiekius nuo 2 vnt. - 46.35 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 36.91 EURBendroji kaina už kiekius nuo 3 vnt. - 44.65 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 35.71 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 43.20 EUR
Gamintojo taikomas pakavimo būdasTūba = 10 vnt.