IXGN200N170
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B
Gamintojas: IXYS
Gamintojo žymėjimas:
IXGN200N170
TME Simbolis:
IXGN200N170
Specifikacija
Producent | IXYS | |
Typ modułu półprzewodnikowego | IGBT | |
Struktura półprzewodnika | pojedynczy tranzystor | |
Napięcie wsteczne maks. | 1,7kV | |
Prąd kolektora | 160A | |
Obudowa | SOT227B | |
Montaż elektryczny | przykręcany | |
Napięcie bramka - emiter | ±20V | |
Prąd kolektora w impulsie | 1,05kA | |
Moc rozpraszana | 1,25kW | |
Technologia | NPT | |
Montaż mechaniczny | przykręcany |
Bruto masė30 g
Sertifikatas
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: IGBT moduliai IXYS,
* IXGN200N170Vienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 56.53 EURBendroji kaina už kiekius nuo 1 vnt. - 68.40 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 52.11 EURBendroji kaina už kiekius nuo 5 vnt. - 63.05 EUR
Grynoji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 50.28 EURBendroji kaina už kiekius nuo 10 vnt. - 60.84 EUR