JAN1N5802US
Diodas: lygintuvinis; SMD; 50V; 2,5A; 25ns; MELF; Ufmax: 975mV
NAUJOVĖ
Gamintojas: MICROCHIP TECHNOLOGY
Gamintojo žymėjimas:
JAN1N5802US
TME Simbolis:
JAN1N5802US
Specifikacija
Gamintojas | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Diodo tipas | lygintuvinis | |
Montavimas | SMD | |
Maks. atgalinė įtampa | 50V | |
Laidumo srovė | 2,5A | |
Atkūrimo laikas | 25ns | |
Puslaidininkio struktūra | viengubas diodas | |
Talpa | 25pF | |
Korpusas | MELF | |
Maks. tiesioginė įtampa | 0,975V | |
Maks. tiesioginė srovė | 2,5A | |
Maks. impulsinė srovė | 35A | |
Nuotėkio srovė | 1µA |
Bruto masė0.088 g
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. yra šio prekės ženklo produktų importuotojas.
Peržiūrėkite kitus šios kategorijos produktus: SMD universalūs diodai MICROCHIP TECHNOLOGY,
* JAN1N5802USVienetų skaičius (Kartotinumas: 1)
0 sandėlyje TME
Grynoji kaina už kiekius nuo 100 vnt. - 8.11 EURBendroji kaina už kiekius nuo 100 vnt. - 9.81 EUR
Pasiūlymas prieinamas prisijungusiems klientams