APT100GN120J
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT100GN120J
TME Simbols:
APT100GN120J
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 70A | |
Case | SOT227B | |
Application | for inductive load, for UPS, motors, SMPS | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 300A | |
Technology | Field Stop, Trench | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT100GN120JGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.25 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 65.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 48.82 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 59.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.15 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 52.20 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem