+1 500 000 produkti piedāvājumā

7000 pakas sūtītas katrā dienā

+300 000 klienti no 150 valstīm

Quick Buy Iemīļotie
Grozs

Lūdzu, sazinieties ar savu tirgus pārstāvi. Aiciniet mūs uz tiešsaistes sanāksmi.

Moduļi IGBT; Case:SOT227B

(102)
Manufacturer [102]
Type of semiconductor module [102]
Gate-emitter voltage [99]
Collector current [102]
Case [102]
Topology [15]
Mechanical mounting [101]
Electrical mounting [95]
Pulsed collector current [97]
Max. off-state voltage [95]
Semiconductor structure [95]
Application [29]
Technology [96]
Power dissipation [35]
Kind of package [49]
Features of semiconductor devices [9]
Collector-emitter voltage [4]

Case
SOT227B

Produktu: 102

Noliktava:

TME
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Collector-emitter voltage
Electrical mounting
Features of semiconductor devices
Gate-emitter voltage
Kind of package
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Augoši
Lejupejoši
Lapa 1
IXGN200N60B3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN200N60B3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.66 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
APT75GP120JDQ3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Oriģināls simbols: APT75GP120JDQ3
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.49 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 64.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 48.03 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 58.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 44.83 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 54.25 EUR
20 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
VS-GT100DA120UF | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Oriģināls simbols: VS-GT100DA120UF
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.77 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.91 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
APT40GP90JDQ2 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Oriģināls simbols: APT40GP90JDQ2
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.15 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 51.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.51 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 39.12 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 47.34 EUR
20 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Grūti pieejams produkts
APT75GT120JU3 | Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Oriģināls simbols: APT75GT120JU3
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 37.74 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 45.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.27 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.88 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXYN100N120C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN100N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 31.71 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 38.36 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
IXGN100N170 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN100N170
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 54.40 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 65.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 50.51 EURBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 61.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 47.00 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 56.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 40 gab - 46.30 EURBruto cena par daudzumiem no 40 gab - 56.02 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXBN42N170A | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXBN42N170A
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 31.51 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.12 EUR
4 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
VS-GT180DA120U | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B
Oriģināls simbols: VS-GT180DA120U
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 44.26 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.55 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXGN50N120C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN50N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.30 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 51.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.10 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.71 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 40.78 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXDN75N120 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXDN75N120
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.23 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.42 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXBN75N170 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXBN75N170
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 98.51 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 119.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 88.51 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 107.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 82.61 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 99.95 EUR
1 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXYN100N120C3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN100N120C3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.68 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.81 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
APT35GP120J | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Oriģināls simbols: APT35GP120J
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.91 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.12 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 41.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 30.15 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 36.48 EUR
1 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
IXGN72N60C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Oriģināls simbols: IXGN72N60C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 29.02 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 25.22 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 30.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.68 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXYN100N65C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Oriģināls simbols: IXYN100N65C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.39 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.23 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 22.42 EURBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 27.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 21.48 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 25.98 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXYN82N120C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN82N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.98 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.64 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXYN75N65C3D1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Oriģināls simbols: IXYN75N65C3D1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.91 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 27.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.61 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.77 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXGN200N170 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 160A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN200N170
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 56.66 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 68.56 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 52.23 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 63.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 50.40 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 60.99 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IXGN400N60B3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN400N60B3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 44.33 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 9 gab - 40.53 EURBruto cena par daudzumiem no 9 gab - 49.04 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Pieprasījums par produktu, kas nav iekļauts standarta piedāvājumā
Jūsu pieprasījums tika veiksmīgi nosūtīts. Drīzumā uz norādīto e-pasta adresi nosūtīsim jums piedāvājumu produkta iegādei.
Klienta numurs
Oriģināls simbols
Ražotājs
Daudzums
E-pasta adrese
Ziņojuma saturs