+1 500 000 produkti piedāvājumā

7000 pakas sūtītas katrā dienā

+300 000 klienti no 150 valstīm

Quick Buy Iemīļotie
Grozs

Lūdzu, sazinieties ar savu tirgus pārstāvi. Aiciniet mūs uz tiešsaistes sanāksmi.

Moduļi IGBT; Case:SOT227B

(107)
Manufacturer [107]
Type of semiconductor module [107]
Gate-emitter voltage [103]
Collector current [107]
Case [107]
Topology [15]
Mechanical mounting [106]
Pulsed collector current [99]
Electrical mounting [96]
Max. off-state voltage [96]
Semiconductor structure [96]
Application [29]
Technology [101]
Power dissipation [41]
Kind of package [54]
Features of semiconductor devices [9]
Collector-emitter voltage [8]

Case
SOT227B

Produktu: 107

Noliktava:

TME
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Collector-emitter voltage
Electrical mounting
Features of semiconductor devices
Gate-emitter voltage
Kind of package
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Augoši
Lejupejoši
Lapa 1
VS-GT100DA120UF | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Oriģināls simbols: VS-GT100DA120UF
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.06 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 47.27 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXGN200N60B3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 200A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN200N60B3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.66 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
APT75GP120JDQ3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Oriģināls simbols: APT75GP120JDQ3
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.73 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 66.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.16 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 59.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.88 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 55.51 EUR
17 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
APT40GP90JDQ2 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Oriģināls simbols: APT40GP90JDQ2
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.13 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 41.45 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 50.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 40.03 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 48.44 EUR
20 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
Grūti pieejams produkts
IXYN100N120C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 62A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN100N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 31.07 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 37.60 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.
APT75GT120JU3 | Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Oriģināls simbols: APT75GT120JU3
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.75 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.21 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXYN120N120C3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 120A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN120N120C3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 25.41 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 30.74 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.
IXGN100N170 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN100N170
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 54.41 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 65.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 50.51 EURBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 61.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 47.00 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 56.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 40 gab - 46.31 EURBruto cena par daudzumiem no 40 gab - 56.03 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXBN42N170A | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 21A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXBN42N170A
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 31.51 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.12 EUR
4 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXGN50N120C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN50N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.31 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 51.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.10 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.71 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 40.78 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
VS-GT180DA120U | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B
Oriģināls simbols: VS-GT180DA120U
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 44.20 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.48 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXGN320N60A3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 170A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN320N60A3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 33.90 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 41.02 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.
IXXN110N65C4H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXXN110N65C4H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 19.77 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 23.91 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.
IXBN75N170 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 75A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXBN75N170
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 98.50 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 119.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 88.50 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 107.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 82.60 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 99.95 EUR
1 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXYN100N120C3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 84A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN100N120C3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 31.41 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.01 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXYN100N65C3H1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Oriģināls simbols: IXYN100N65C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.39 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.22 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 22.42 EURBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 27.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 21.47 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 25.98 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXDN75N120 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXDN75N120
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 39.79 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 48.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 37.29 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
IXYN100N65A3 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN100N65A3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 18.52 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 22.41 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.
APT35GP120J | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Oriģināls simbols: APT35GP120J
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 38.79 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 46.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 34.92 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 42.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 30.85 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 37.33 EUR
1 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
IXYN75N65C3D1 | Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B; 600W
Oriģināls simbols: IXYN75N65C3D1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 30.91 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 37.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 27.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 33.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 24.60 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 29.77 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.
Pieprasījums par produktu, kas nav iekļauts standarta piedāvājumā
Jūsu pieprasījums tika veiksmīgi nosūtīts. Drīzumā uz norādīto e-pasta adresi nosūtīsim jums piedāvājumu produkta iegādei.
Klienta numurs
Oriģināls simbols
Ražotājs
Daudzums
E-pasta adrese
Ziņojuma saturs