IXGN72N60C3H1
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 52A; SOT227B; 360W
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXGN72N60C3H1
TME Simbols:
IXGN72N60C3H1
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 0,6kV | |
Collector current | 52A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 360A | |
Power dissipation | 360W | |
Technology | GenX3™, PT | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* IXGN72N60C3H1Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 29.07 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 35.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 25.26 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 30.57 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.72 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 28.70 EUR