APT35GP120J
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT35GP120J
TME Simbols:
APT35GP120J
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 29A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 140A | |
Technology | POWER MOS 7®, PT | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto36.43 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT35GP120JGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
1 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 43.81 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.00 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 39.43 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 47.71 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 34.84 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 42.15 USD
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem