APT40GP90JDQ2
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B; 284W
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT40GP90JDQ2
TME Simbols:
APT40GP90JDQ2
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 900V | |
Collector current | 27A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 160A | |
Power dissipation | 284W | |
Technology | POWER MOS 7® | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto31.36 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT40GP90JDQ2
20 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 41.52 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 50.24 USD
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 10 gab