IXGN100N170
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXGN100N170
TME Simbols:
IXGN100N170
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,7kV | |
Collector current | 95A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 600A | |
Power dissipation | 735W | |
Technology | NPT | |
Features of semiconductor devices | high voltage | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.13 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* IXGN100N170Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 50.52 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 61.13 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 46.58 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 56.36 GBP
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 43.24 GBPBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 52.32 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 40.24 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 48.69 GBP
Neto cena par daudzumiem no 40 gab - 39.65 GBPBruto cena par daudzumiem no 40 gab - 47.97 GBP
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab