IXGN100N170
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 95A; SOT227B
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
IXGN100N170
TME Simbols:
IXGN100N170
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,7kV | |
Collector current | 95A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 600A | |
Power dissipation | 735W | |
Technology | NPT | |
Features of semiconductor devices | high voltage | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto37.13 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* IXGN100N170
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 67.22 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 81.33 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 61.98 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 74.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 57.54 USDBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 69.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 53.55 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 64.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 40 gab - 52.75 USDBruto cena par daudzumiem no 40 gab - 63.83 USD
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 10 gab