APT75GP120JDQ3
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT75GP120JDQ3
TME Simbols:
APT75GP120JDQ3
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 57A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 300A | |
Power dissipation | 543W | |
Technology | POWER MOS 7® | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto29.33 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GP120JDQ3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
20 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 45.35 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.87 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 40.72 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.28 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 38.00 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 45.99 GBP
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 10 gab