APT35GP120JDQ2
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 26A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT35GP120JDQ2
TME Simbols:
APT35GP120JDQ2
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 26A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 140A | |
Technology | POWER MOS 7®, PT | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT35GP120JDQ2Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 54.88 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 66.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 59.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.65 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 52.81 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem