APT60GF120JRD
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 79A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT60GF120JRD
TME Simbols:
APT60GF120JRD
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 79A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±30V | |
Pulsed collector current | 300A | |
Technology | NPT | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT60GF120JRDGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 107.92 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 130.59 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 97.13 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 117.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 85.84 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 103.86 USD
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem