APT75GP120J
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Oriģināls simbols:
APT75GP120J
TME Simbols:
APT75GP120J
Specifikācija
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | single transistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 57A | |
Case | SOT227B | |
Electrical mounting | screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 300A | |
Technology | POWER MOS 7®, PT | |
Kind of package | tube | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto30 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT75GP120JGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 55.09 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 66.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 49.59 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 60.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 53.01 EUR
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem