B1D10065H
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
B1D10065H
TME Simbols:
B1D10065H
Specifikācija
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | ||
Type of diode | Schottky rectifying | ||
Technology | SiC | ||
Mounting | THT | ||
Max. off-state voltage | 650V | ||
Load current | 10A | ||
Semiconductor structure | single diode | ||
Case | TO247-2 | ||
Max. forward voltage | 1,75V | ||
Max. forward impulse current | 75A | ||
Leakage current | 20µA | ||
Power dissipation | 68W | ||
Kind of package | tube |
Masa bruto5.94 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Diodes Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B1D10065HGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
3 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.37 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.13 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.58 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.88 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.27 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 1.58 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 1.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 1.53 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 1.84 USD
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 30 gab