BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Pusvadītāji
(221)Produktu: 221
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.79 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.17 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.43 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.18 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.93 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.74 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.62 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.96 EUR
208 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.11 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.99 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.88 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.06 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.79 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.96 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.74 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.89 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D06065E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.92 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.83 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.94 EUR
2428 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; 268W; tube
Oriģināls simbols: B3D30065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.85 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.38 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.22 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.10 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.01 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.23 EUR
265 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Oriģināls simbols: B2D10120H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.75 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 1.83 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 2.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 2.15 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V
Oriģināls simbols: B2D30120H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.24 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.19 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.12 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.82 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.29 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.83 EUR
4 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.06 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.11 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.05 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.24 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.76 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220ISO; 54W; tube
Oriģināls simbols: B3D04065KS
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.52 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.47 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.57 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.42 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.50 EUR
497 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Oriģināls simbols: B2D30065H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.80 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 6.12 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 5.41 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.55 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.86 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.88 EUR
14 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; TO247-2; Ir: 20uA
Oriģināls simbols: B1D40065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.99 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.95 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.25 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.94 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.97 EUR
9 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D02120E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.01 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.92 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.80 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.97 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.73 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.67 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.81 EUR
3261 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA
Oriģināls simbols: B1D15065K
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.86 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.57 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 2.27 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 2.75 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 2.04 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 2.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.94 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 2.35 EUR
6 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Oriģināls simbols: B2D05120K1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.42 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.28 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.55 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.13 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.37 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.01 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.95 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.15 EUR
295 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IC: driver; low-side,gate driver; SOP8; -5÷5A; Ch: 2; 4.5÷20VDC
Oriģināls simbols: BTL27524R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.93 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.13 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.81 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.97 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.71 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.86 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.64 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.60 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.56 EURBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.64 EUR
2197 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D04065E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.75 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.67 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.81 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.59 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.64 EUR
2421 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 40uA
Oriģināls simbols: B2D20120H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.15 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 4.63 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.09 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.95 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 3.43 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 3.31 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.00 EUR
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO263-2; SiC; SMD; 650V; 20A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D20065F1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.35 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.01 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 2.67 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 3.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 2.49 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 3.00 EUR
446 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Oriģināls simbols: B2D20065H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.14 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 3.72 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 4.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.29 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.98 EUR
Neto cena par daudzumiem no 60 gab - 2.96 EURBruto cena par daudzumiem no 60 gab - 3.59 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.76 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.34 EUR
15 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Oriģināls simbols: B2D02120K1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.80 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.97 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.63 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.57 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)