BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Pusvadītāji

(220)

Slēpt neaktīvos filtrus

Produktu: 220

Noliktava:

Pieejamas noliktavā [56]

Jaunumi [0]

Lapa 1

B3M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Oriģināls simbols: B3M040120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.78 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.36 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.50 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.02 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.21 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.67 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.99 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.40 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.86 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.25 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D30065H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; 268W; tube

Oriģināls simbols: B3D30065H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.75 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.11 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.58 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.91 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.40 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.69 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.26 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.52 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.17 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.41 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

BGH75N120HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3

Oriģināls simbols: BGH75N120HF1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.52 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.94 USD

Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.42 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.61 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.22 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.16 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.29 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.03 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D04065K

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 65W; tube

Oriģināls simbols: B3D04065K

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.78 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.94 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.44 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.53 USD

Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.33 USDBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.39 USD

Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.28 USDBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.33 USD

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.26 USDBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.31 USD

Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.23 USDBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.27 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20065H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA

Oriģināls simbols: B2D20065H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.66 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.64 USD

Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 4.19 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 5.06 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.70 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 4.48 USD

Neto cena par daudzumiem no 60 gab - 3.33 USDBruto cena par daudzumiem no 60 gab - 4.03 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.11 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.76 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2M600170H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W

Oriģināls simbols: B2M600170H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.85 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.45 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.54 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.07 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.26 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.73 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.03 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.47 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.90 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.30 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D30120H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V

Oriģināls simbols: B2D30120H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.73 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.19 USD

Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.52 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.73 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.29 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.24 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.35 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.10 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D05120K1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA

Oriģināls simbols: B2D05120K1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.63 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.97 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.47 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.78 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.30 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.57 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.17 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.41 USD

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.08 USDBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.31 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

BTL27524R

IC: driver; low-side,gate driver; SOP8; -5÷5A; Ch: 2; 4.5÷20VDC

Oriģināls simbols: BTL27524R

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.06 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.29 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.92 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.12 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.81 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.98 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.73 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.88 USD

Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.68 USDBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.82 USD

Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.64 USDBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.77 USD

Neto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.60 USDBruto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.73 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2M600170HH

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W

Oriģināls simbols: B2M600170HH

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.05 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.48 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 300.
Daudzkārtīgums: 300.

B2D06065E1

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape

Oriģināls simbols: B2D06065E1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.31 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.58 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.17 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.42 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.03 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.26 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.94 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.13 USD

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.87 USDBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.05 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D50120H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; 750W

Oriģināls simbols: B3D50120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.90 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.72 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.51 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 4.25 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.10 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.75 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.79 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.37 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.60 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.14 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D10120H1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V

Oriģināls simbols: B2D10120H1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.79 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.38 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.47 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.98 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.22 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.68 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.06 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.49 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.00 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.41 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B3D10120H

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 181W

Oriģināls simbols: B3D10120H

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.21 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.46 USD

Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.08 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.31 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.96 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.16 USD

Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.87 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.04 USD

Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.81 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.98 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20065TF

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA

Oriģināls simbols: B2D20065TF

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.20 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.87 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.84 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.43 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.67 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.23 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai

B2D02120E1

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape

Oriģināls simbols: B2D02120E1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.41 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.05 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.28 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.92 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.11 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.84 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.01 USD

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.77 USDBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.93 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D20120HC1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W

Oriģināls simbols: B2D20120HC1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.79 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.00 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.21 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 6.30 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.60 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.57 USD

Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 3.86 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.67 USD

Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 3.73 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.51 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D02120K1

Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA

Oriģināls simbols: B2D02120K1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.90 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.09 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.81 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.98 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.71 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.86 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.65 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.78 USD

Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.60 USDBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.73 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

B2D04065E1

Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape

Oriģināls simbols: B2D04065E1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.85 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.03 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.77 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.93 USD

Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.68 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.82 USD

Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.61 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.73 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.

Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai

BGH50N65HF1

Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3

Oriģināls simbols: BGH50N65HF1

Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR

Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.04 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.78 USD

Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.81 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.29 USD

Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.39 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.57 USD

Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.71 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.53 USD

Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.40 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.17 USD

Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)

Minimālais daudzums, ko iespējams pasūtīt: 1.
Daudzkārtīgums: 1.