BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Pusvadītāji
(220)Produktu: 220
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.23 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.97 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.66 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.00 EUR
46 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; 268W; tube
Oriģināls simbols: B3D30065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.56 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.89 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.41 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.25 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.12 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.26 EUR
226 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.28 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.30 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.23 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.95 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.40 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.95 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220-2; 65W; tube
Oriģināls simbols: B3D04065K
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.69 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.84 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.39 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.29 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.25 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.23 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.20 EURBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 0.24 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 15uA
Oriģināls simbols: B2D20065H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.14 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 3.73 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 4.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.99 EUR
Neto cena par daudzumiem no 60 gab - 2.97 EURBruto cena par daudzumiem no 60 gab - 3.59 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.76 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.34 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.54 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.27 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.01 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.82 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.69 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.05 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V
Oriģināls simbols: B2D30120H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.46 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.39 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.29 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.45 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.01 EUR
4 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; Ir: 30uA
Oriģināls simbols: B2D05120K1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.45 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.76 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.31 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.16 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.40 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 1.17 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220ISO; 54W; tube
Oriģināls simbols: B3D04065KS
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.64 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.48 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.42 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 0.51 EUR
332 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
IC: driver; low-side,gate driver; SOP8; -5÷5A; Ch: 2; 4.5÷20VDC
Oriģināls simbols: BTL27524R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.95 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.82 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.65 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.61 EURBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 0.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.57 EURBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 0.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.54 EURBruto cena par daudzumiem no 2500 gab - 0.65 EUR
2197 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.83 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.21 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D06065E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.92 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.84 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.94 EUR
2428 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; 750W
Oriģināls simbols: B3D50120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.48 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.13 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.77 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.49 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.32 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.80 EUR
281 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Oriģināls simbols: B2D10120H1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.48 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.00 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.20 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.97 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.84 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.15 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 181W
Oriģināls simbols: B3D10120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.07 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.85 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.87 EUR
286 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D02120E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.04 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.94 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.82 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.99 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.75 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.68 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.83 EUR
3261 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO3PF; Ir: 20uA
Oriģināls simbols: B2D20065TF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.53 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.37 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.87 EUR
23 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; 60W
Oriģināls simbols: B2D20120HC1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 5.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 6.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 4.63 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 5.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.09 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 4.95 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 3.43 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 3.32 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.01 EUR
35 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; Ir: 20uA
Oriģināls simbols: B2D02120K1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.80 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.97 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.64 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.57 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.54 EURBruto cena par daudzumiem no 500 gab - 0.65 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Oriģināls simbols: B2D04065E1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.76 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.92 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.68 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 0.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.61 EURBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 0.73 EUR
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.54 EURBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 0.65 EUR
2419 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)