B2D30120H1
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ufmax: 2V
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
B2D30120H1
TME Simbols:
B2D30120H1
Specifikācija
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of diode | Schottky rectifying | |
Technology | SiC | |
Mounting | THT | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Load current | 30A | |
Semiconductor structure | single diode | |
Case | TO247-2 | |
Max. forward voltage | 2V | |
Max. forward impulse current | 225A | |
Leakage current | 38µA | |
Power dissipation | 185W | |
Kind of package | tube |
Masa bruto5.877 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Diodes Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D30120H1Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.71 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.50 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.71 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.28 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.22 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.34 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.08 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 30 gab