B2D10120H1
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ufmax: 2V
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
B2D10120H1
TME Simbols:
B2D10120H1
Specifikācija
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of diode | Schottky rectifying | |
Technology | SiC | |
Mounting | THT | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Load current | 10A | |
Semiconductor structure | single diode | |
Case | TO247-2 | |
Max. forward voltage | 2V | |
Max. forward impulse current | 90A | |
Leakage current | 30µA | |
Power dissipation | 62W | |
Kind of package | tube |
Masa bruto5.86 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Diodes Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D10120H1Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
20 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.18 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.85 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.87 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.53 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.06 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 2.12 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 2.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 2.05 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 2.48 USD
Ražotāja iepakojuma metodeTūba = 30 gab