B2D10120HC1
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 20uA
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
B2D10120HC1
TME Simbols:
B2D10120HC1
Specifikācija
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of diode | Schottky rectifying | |
Technology | SiC | |
Mounting | THT | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Load current | 5A x2 | |
Semiconductor structure | common cathode, double | |
Case | TO247-3 | |
Max. forward voltage | 1,8V | |
Max. load current | 10A | |
Max. forward impulse current | 55A | |
Leakage current | 20µA | |
Power dissipation | 64W | |
Kind of package | tube |
Masa bruto6.23 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Diodes Schottky THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2D10120HC1
4 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.99 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.70 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 3.26 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.38 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 2.00 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 2.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 1.92 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 2.33 USD
Ražotāja iepakojuma metode:Tūba = 30 gab