BTD5350EBWR
IC: driver; gate driver; SOW8; 10A; Ch: 1; 3÷18VDC; 5kV
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Oriģināls simbols:
BTD5350EBWR
TME Simbols:
BTD5350EBWR
Specifikācija
Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Type of integrated circuit | driver | |
Kind of integrated circuit | gate driver | |
Case | SOW8 | |
Output current | 10A | |
Number of channels | 1 | |
Mounting | SMD | |
Operating temperature | -40...125°C | |
Kind of package | reel, tape | |
Insulation voltage | 5kV |
Supply voltage
- 3...18V DC
Integrated circuit features
- galvanically isolated
- UVLO (UnderVoltage LockOut)
Masa bruto1 g
Sertifikācija
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ir minētās prečzīmes importētājs
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: MOSFET/IGBT draiveri BASiC SEMICONDUCTOR,
* BTD5350EBWRGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.91 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 1.67 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 2.01 USD
Neto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.48 USDBruto cena par daudzumiem no 25 gab - 1.78 USD
Neto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.31 USDBruto cena par daudzumiem no 100 gab - 1.59 USD
Neto cena par daudzumiem no 250 gab - 1.22 USDBruto cena par daudzumiem no 250 gab - 1.48 USD
Neto cena par daudzumiem no 1000 gab - 1.15 USDBruto cena par daudzumiem no 1000 gab - 1.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 2000 gab - 1.09 USDBruto cena par daudzumiem no 2000 gab - 1.32 USD