MID75-12A3
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
MID75-12A3
TME Simbols:
MID75-12A3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | boost chopper | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 60A | |
Case | Y4-M5 | |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 400A | |
Power dissipation | 370W | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto111.5 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS
* MID75-12A3Izmantojiet zemāku specifikācijas tabulu, lai atrast līdzīgus produktus
Produkts atsaukts no piedāvājuma