MIXA10W1200TML
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
MIXA10W1200TML
TME Simbols:
MIXA10W1200TML
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT three-phase bridge, NTC thermistor | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 12A | |
Case | E1-Pack | |
Application | fans, for pump, motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 30A | |
Power dissipation | 65W | |
Technology | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto10 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* MIXA10W1200TMLGabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 26.71 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 32.32 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 23.57 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 28.51 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 21.23 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 25.69 USD