MWI75-12A8
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
MWI75-12A8
TME Simbols:
MWI75-12A8
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | transistor/transistor | |
Topology | IGBT three-phase bridge | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 85A | |
Case | E3-Pack | |
Application | motors | |
Electrical mounting | Press-in PCB | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 150A | |
Power dissipation | 500W | |
Technology | NPT | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto10 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* MWI75-12A8Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 138.57 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 167.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 122.27 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 147.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 110.04 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 133.15 USD