Moduļi IGBT; Collector current:50A
(106)Manufacturer [106]
Type of semiconductor module [106]
Gate-emitter voltage [102]
Collector current [106]
Case [96]
Topology [99]
Mechanical mounting [88]
Pulsed collector current [88]
Electrical mounting [85]
Max. off-state voltage [86]
Semiconductor structure [86]
Application [75]
Technology [78]
Power dissipation [24]
Power [5]
Kind of package [1]
Version [2]
Collector current50A
Produktu: 106
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Gate-emitter voltage
Kind of package
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of semiconductor module
Version
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: SKM50GD125D 21918010
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 331.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 400.51 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 298.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 360.59 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 263.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 318.24 EUR
10 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 600V; Ic: 50A; SEMITOP3
Oriģināls simbols: SK 50 GD 066 ET 24912720
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 68.50 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 82.89 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 61.71 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 74.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 58.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 70.19 EUR
9 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Oriģināls simbols: SK 60 GB 125 24910770
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 52.51 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 63.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.51 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 56.27 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 43.51 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 52.64 EUR
10 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 35NAB12T4V1 25231470
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 48 gab - 81.81 EURBruto cena par daudzumiem no 48 gab - 98.98 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 48)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Oriģināls simbols: SKM50GB12T4
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 59.76 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 72.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 55.27 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 66.88 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXGN50N120C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 42.31 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 51.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 38.11 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 46.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 33.71 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 40.78 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: SKIIP 25AC12T4V1 25231550
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 187.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 226.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 165.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 199.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 149.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 180.30 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SKIIP 35NAB126V10 25230130
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 48 gab - 98.80 EURBruto cena par daudzumiem no 48 gab - 119.55 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 48)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Oriģināls simbols: SKM50GB12V 22892003
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 73.21 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 88.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 64.71 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 78.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 58.11 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 70.31 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Oriģināls simbols: IXYN50N170CV1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 53.85 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 65.16 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 48.09 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 58.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 44.11 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 53.37 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 50A
Oriģināls simbols: SKIIP 25AC12T4V25 M20 025238110
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 210.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 254.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 185.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 223.85 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 168.00 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 203.28 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGT50H60T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 16 gab - 49.74 EURBruto cena par daudzumiem no 16 gab - 60.18 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 16)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Oriģināls simbols: GD50FFY120C5S
Ražotājs: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 75.51 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 91.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 66.70 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 80.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 12 gab - 59.91 EURBruto cena par daudzumiem no 12 gab - 72.48 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A
Oriģināls simbols: VS-50MT060PHTAPBF
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 95.20 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 115.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 84.40 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 102.13 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 78.20 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 94.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 72.11 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 87.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 66.90 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 80.95 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Oriģināls simbols: A2C50S65M2
Ražotājs: STMicroelectronics
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 66.73 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 80.74 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 50A; AG-EASY1B-1; Inverter; 205W
Oriģināls simbols: FS50R06W1E3BOMA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 24 gab - 23.80 EURBruto cena par daudzumiem no 24 gab - 28.80 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 24)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Oriģināls simbols: DDB6U104N16RRBPSA1
Ražotājs: INFINEON TECHNOLOGIES
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 79.64 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 96.36 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 600V; Ic: 50A; SEMITOP3
Oriģināls simbols: SK 50 MLI 066 24914390
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 143.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 173.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 129.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 156.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 120.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 145.21 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SK 60 GAL 125 24912560
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 160.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 193.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 141.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 170.62 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 127.00 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 153.68 EUR
Neto cena par daudzumiem no 15 gab - 118.00 EURBruto cena par daudzumiem no 15 gab - 142.79 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Oriģināls simbols: SKM50GAL12T4 22892290
Ražotājs: SEMIKRON DANFOSS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 58.80 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 71.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 52.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 63.89 EUR
Neto cena par daudzumiem no 8 gab - 49.30 EURBruto cena par daudzumiem no 8 gab - 59.66 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)