Moduļi IGBT; Collector current:90A
(13)Manufacturer [13]
Type of semiconductor module [13]
Type of transistor [3]
Type of bridge rectifier [1]
Gate-emitter voltage [11]
Collector current [13]
Case [11]
Topology [10]
Mechanical mounting [11]
Pulsed collector current [11]
Electrical mounting [11]
Max. off-state voltage [11]
Semiconductor structure [11]
Application [9]
Technology [12]
Power dissipation [5]
Kind of package [1]
Features of semiconductor devices [1]
Collector current90A
Produktu: 13
Noliktava:
Visi
Kārtošana
Pielāgošana
Pielāgošana
Produkta simbols
Simbols (kārtošana pēc pieejamības)
Oriģināls simbols
Cena no pirmās daudzuma pakāpes
Cena no pēdējās daudzuma pakāpes
Noliktavas stāvokļa
Application
Case
Collector current
Electrical mounting
Features of semiconductor devices
Gate-emitter voltage
Kind of package
Manufacturer
Max. off-state voltage
Mechanical mounting
Power dissipation
Pulsed collector current
Semiconductor structure
Technology
Topology
Type of bridge rectifier
Type of semiconductor module
Type of transistor
Lejupejoši
Lapa 1
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W
Oriģināls simbols: IXYN100N65C3H1
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.23 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 34.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 23.08 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 27.93 EUR
Neto cena par daudzumiem no 20 gab - 22.28 EURBruto cena par daudzumiem no 20 gab - 26.96 EUR
Neto cena par daudzumiem no 50 gab - 21.35 EURBruto cena par daudzumiem no 50 gab - 25.83 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5
Oriģināls simbols: MID100-12A3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 62.03 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 75.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 54.77 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 66.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 49.21 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 59.54 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A; SOT227B
Oriģināls simbols: APT150GT120JR
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 77.94 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 94.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 70.15 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 84.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 61.98 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 75.00 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A
Oriģināls simbols: APTGL90A120T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 14 gab - 55.85 EURBruto cena par daudzumiem no 14 gab - 67.58 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 14)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL90DA120T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 19 gab - 41.19 EURBruto cena par daudzumiem no 19 gab - 49.84 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 19)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper x2,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL90DDA120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 14 gab - 56.44 EURBruto cena par daudzumiem no 14 gab - 68.29 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 14)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper x2,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL90DSK120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 14 gab - 56.44 EURBruto cena par daudzumiem no 14 gab - 68.29 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 14)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor
Oriģināls simbols: APTGL90H120T3G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 9 gab - 86.07 EURBruto cena par daudzumiem no 9 gab - 104.15 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 9)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 90A
Oriģināls simbols: APTGTQ150TA65TPG
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 192.51 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 232.93 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 5)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 90A; 276W
Oriģināls simbols: APTGX50H120T1G
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 55.09 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 66.66 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 90A; Inverter; 330W; SiC
Oriģināls simbols: MSCGLQ50X120CTYZBNMG
Ražotājs: MICROCHIP TECHNOLOGY
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 524.96 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 635.20 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Piedāvājums pieejams pieteiktiem klientiem
Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 90A
Oriģināls simbols: MDI100-12A3
Ražotājs: IXYS
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 68.89 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 83.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 62.03 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 75.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 54.77 EURBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 66.28 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 600V; Ic: 90A; SOT227B
Oriģināls simbols: VS-GT90DA60U
Ražotājs: VISHAY
Neto cena par daudzumiem no 160 gab - 36.38 EURBruto cena par daudzumiem no 160 gab - 44.02 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 10)