MID100-12A3
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5
Ražotājs: IXYS
Oriģināls simbols:
MID100-12A3
TME Simbols:
MID100-12A3
Specifikācija
Manufacturer | IXYS | |
Type of semiconductor module | IGBT | |
Semiconductor structure | diode/transistor | |
Topology | boost chopper | |
Max. off-state voltage | 1,2kV | |
Collector current | 90A | |
Case | Y4-M5 | |
Application | fans, for pump, motors, photovoltaics | |
Electrical mounting | FASTON connectors, screw | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Pulsed collector current | 150A | |
Power dissipation | 560W | |
Technology | NPT | |
Mechanical mounting | screw |
Masa bruto10 g
Sertifikācija
Skatiet citus produktus šajā kategorijā: Moduļi IGBT IXYS,
* MID100-12A3Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
0 TME noliktavā
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 73.04 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 88.39 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 64.50 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 78.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 6 gab - 57.95 USDBruto cena par daudzumiem no 6 gab - 70.11 USD