BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.78 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.50 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.02 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.21 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.99 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.40 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.86 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.25 USD
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.04 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.47 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.27 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.14 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.00 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.22 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.90 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.85 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.02 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.51 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.41 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.59 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.20 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.14 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.27 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.01 USD
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.54 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.26 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.83 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.78 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.03 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.93 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.72 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.55 USD
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.71 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.19 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.96 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.60 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 14.03 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.72 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.77 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.38 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.34 USD
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.34 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.24 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.00 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.56 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.45 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.64 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 14.94 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.07 USD
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.11 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.45 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.99 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.82 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.68 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.40 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.14 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.63 USD
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.00 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.10 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.02 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.98 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.17 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.67 USD
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.81 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.82 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.68 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.80 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.43 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.54 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.30 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.63 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.41 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.80 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.30 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.13 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.20 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.92 USD
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.00 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.73 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.71 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.30 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.27 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.22 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.02 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.81 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.55 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.00 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.69 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.80 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.43 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.34 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.24 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.00 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.56 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.45 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.52 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.78 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.20 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.39 USD
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.03 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.35 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.93 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.01 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.78 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.36 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.12 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.61 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.60 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 21.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 15.90 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 19.24 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.00 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 16.94 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.61 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.25 USD
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.31 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.10 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.71 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.58 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.59 USD
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.95 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.73 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.08 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.56 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.66 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.92 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.62 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.96 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W
Oriģināls simbols: B3M025065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.02 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.66 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.73 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.40 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.17 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.02 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.45 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)