BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.38 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.14 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.89 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.70 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.59 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.92 EUR
141 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.08 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.86 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.87 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.84 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.90 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.88 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.08 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.57 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.62 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.51 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.72 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.25 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.75 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.48 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.05 EUR
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.62 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.27 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.32 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.96 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.34 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.04 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.73 EUR
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.02 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.02 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.81 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.92 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.42 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.82 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.51 EUR
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.54 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.54 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.57 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.37 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.57 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.16 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.35 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.68 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.12 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.41 EUR
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.56 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.72 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.83 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.13 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.42 EUR
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.41 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.57 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.16 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.69 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.61 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.41 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.55 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.76 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.81 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.82 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.45 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.01 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.48 EUR
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.13 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.01 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.12 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.94 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.60 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.32 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.27 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.87 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.67 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.07 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.02 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.02 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.81 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.92 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.32 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.00 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.73 EUR
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.46 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.45 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.52 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.53 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.31 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.09 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.37 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.06 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 18.23 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 13.61 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 16.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.98 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.79 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.05 EUR
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.38 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.77 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.36 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.16 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.91 EUR
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.85 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.67 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.48 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.33 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.24 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.49 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.13 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.50 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.24 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.09 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.53 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.33 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.03 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)