BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.04 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.48 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.84 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.23 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.63 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.97 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.47 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.77 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.37 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.66 GBP
153 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.51 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.83 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.13 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.84 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.01 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.74 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.90 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.67 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.81 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.75 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.49 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.27 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.68 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.29 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.79 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.22 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.11 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.39 GBP
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.01 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.99 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.88 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.91 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.57 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.63 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.02 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.40 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.74 GBP
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.79 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.05 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.67 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.71 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.51 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.30 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.13 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.63 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.88 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.32 GBP
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.12 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.71 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.41 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.64 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 16.47 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.47 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.88 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.96 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.26 GBP
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.15 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.86 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.33 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.87 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.47 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.83 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.43 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.56 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.23 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.33 GBP
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.38 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.93 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 6.66 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.05 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 5.89 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.12 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.29 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.40 GBP
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.19 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.70 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 6.47 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.83 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.72 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.92 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.80 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.80 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.63 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.60 GBP
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.42 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.18 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.20 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.73 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.15 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.04 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.32 GBP
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.60 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.61 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.64 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.45 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.20 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.84 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.28 GBP
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.82 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.67 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.59 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.00 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.47 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.88 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.11 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.69 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.89 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.12 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.71 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.41 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.64 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 16.47 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.39 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.78 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.09 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.42 GBP
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.09 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.79 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.29 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.82 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.44 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.79 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.40 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.53 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.21 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.30 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.99 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.72 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.74 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.20 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.34 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.50 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.30 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.26 GBP
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.82 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.88 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.81 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.90 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.56 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.06 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.55 GBP
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.60 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.93 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.44 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.75 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.27 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.54 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.15 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.39 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.06 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.29 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.70 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.26 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.43 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.94 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.15 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.60 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.34 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.80 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.18 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.87 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.48 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)