BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.37 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.87 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.13 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.58 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.89 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.28 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.70 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.59 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.92 EUR
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.08 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.86 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.77 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.72 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.87 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.83 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.89 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.76 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.87 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.52 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.07 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.56 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.50 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.24 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.75 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.37 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.47 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.04 EUR
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.31 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.68 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.95 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.34 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.03 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.72 EUR
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.90 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.40 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.80 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.49 EUR
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.57 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.56 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.34 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.12 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.40 EUR
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.55 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.35 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.71 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.13 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.41 EUR
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.41 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.56 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.68 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.60 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.41 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.54 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.75 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.80 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.81 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.80 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.00 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.48 EUR
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.12 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.45 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.00 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.81 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.93 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.59 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.31 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.26 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.86 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.67 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.06 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.90 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.31 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.99 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.72 EUR
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.45 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.51 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.52 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.30 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.08 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.36 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.05 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 18.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 13.59 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 16.45 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.48 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.78 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.03 EUR
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.37 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.76 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.35 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.52 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.15 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.90 EUR
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.85 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.67 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.48 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.33 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.24 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.49 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.13 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.49 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.01 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.24 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.70 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.09 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.53 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.33 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.02 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)