BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.03 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.46 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.83 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.21 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.95 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.45 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.76 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.36 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.64 GBP
147 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.50 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.81 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 0.93 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.12 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.83 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.00 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.74 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.89 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.66 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.80 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.75 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.42 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.19 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.21 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.74 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.15 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.05 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.33 GBP
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.94 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.02 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.00 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.89 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.92 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.58 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.64 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.02 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.40 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.75 GBP
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.80 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.06 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.69 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.72 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.52 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.31 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.14 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.64 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.88 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.33 GBP
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.14 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.73 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.42 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.66 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 16.49 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.48 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.89 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.97 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.27 GBP
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.16 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.87 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.34 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.88 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.48 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.84 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.43 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.57 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.24 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.34 GBP
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.32 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.86 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 6.61 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.99 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 5.84 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.06 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.25 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.35 GBP
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 7.20 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.71 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 6.48 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.84 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 5.73 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.93 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 4.80 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.81 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 4.63 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.60 GBP
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.35 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.10 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.54 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.12 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.68 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.08 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.00 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.26 GBP
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.52 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.52 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.57 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.37 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.54 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.12 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.79 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.21 GBP
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.83 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.68 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.94 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.60 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.01 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.48 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.88 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.12 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.72 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.92 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.14 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.73 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.42 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.66 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.62 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 16.49 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.40 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.79 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.14 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.48 GBP
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.10 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.80 GBP
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.30 GBPBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.83 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.45 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.80 GBP
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.40 GBPBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.54 GBP
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.22 GBPBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.31 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.89 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.59 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.64 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.08 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.25 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.40 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.23 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.16 GBP
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.74 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.78 GBP
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.86 GBPBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.72 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.84 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.48 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.00 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.48 GBP
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.59 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.92 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.43 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.73 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.26 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.53 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.14 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.38 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.05 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.28 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.68 GBPBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.24 GBP
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.41 GBPBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.92 GBP
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.13 GBPBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.58 GBP
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.92 GBPBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.32 GBP
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.79 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.17 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.85 GBPBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.45 GBP
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)