BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.76 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.34 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.49 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.00 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.20 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.66 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.98 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.39 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.85 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.24 USD
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.03 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.47 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.26 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.52 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.13 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.00 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.21 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.90 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.84 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.01 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.46 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.87 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.37 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.54 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.17 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.25 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.98 USD
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.53 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.25 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.82 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.78 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.03 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.93 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.72 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.55 USD
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.70 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.18 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.60 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 14.03 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.72 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.76 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.37 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.34 USD
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.33 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.23 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.00 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.55 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.44 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.63 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 14.93 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.07 USD
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.11 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.44 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.99 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.08 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.82 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.39 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.13 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.63 USD
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.97 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.06 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.99 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.95 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.14 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.64 USD
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.80 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.82 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.80 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.43 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.54 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.30 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.63 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.36 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.75 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.27 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.09 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.00 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.17 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.88 USD
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.96 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.68 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.66 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.27 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.24 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.18 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.02 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.54 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.80 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.54 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.00 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.69 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.78 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.41 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.33 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.23 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.00 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.55 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.44 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.52 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.77 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.16 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.35 USD
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.02 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.34 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.93 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.01 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.78 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.35 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.10 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.60 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.54 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 21.22 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 15.85 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 19.17 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 13.96 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 16.89 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.56 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.20 USD
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.26 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.06 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.59 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.67 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.54 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.54 USD
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.16 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.95 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.35 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.72 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.08 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.55 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.87 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.74 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.64 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.28 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.97 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.90 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.51 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.61 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.15 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.95 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W
Oriģināls simbols: B3M025065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.01 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.72 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.28 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.40 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.16 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.01 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.44 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)