BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.38 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.14 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.59 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.89 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.70 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.59 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.92 EUR
147 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.12 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.08 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.97 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.18 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.86 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.78 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.73 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.88 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.86 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.94 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.92 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.89 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.55 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.09 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.59 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.50 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.25 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.75 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.37 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.47 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.04 EUR
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.61 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.30 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.68 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.95 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.33 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.03 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.72 EUR
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.91 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.41 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.22 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.81 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.49 EUR
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.53 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.56 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.56 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.34 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.67 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.12 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.40 EUR
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.58 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.38 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.74 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.36 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.84 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.27 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.14 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.43 EUR
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.56 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.15 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.69 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.08 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.61 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.41 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.54 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.78 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.84 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.02 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.50 EUR
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.15 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.49 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.03 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.84 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.95 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.62 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.31 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.26 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.86 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.67 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.07 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.00 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.00 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.91 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.30 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.09 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 13.00 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.73 EUR
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.45 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.52 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.30 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.53 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.31 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.09 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.37 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.09 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 18.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 13.64 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 16.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.00 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.53 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.81 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.07 EUR
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.41 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.80 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.38 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.56 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.18 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.10 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.21 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.93 EUR
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.86 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.68 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.48 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.33 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.24 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.50 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.14 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.79 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.82 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.42 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.50 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.02 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.24 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.09 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.54 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W
Oriģināls simbols: B3M025065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.60 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.34 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.83 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.06 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.49 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.86 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.25 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.74 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.10 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)