BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.40 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.90 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.16 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.61 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.91 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.31 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.72 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.60 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.94 EUR
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.77 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.14 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.09 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.32 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 0.98 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 0.87 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.78 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.95 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.73 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.88 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.94 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.03 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.99 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.88 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.96 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.15 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.65 EUR
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.63 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.07 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.53 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.27 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.21 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.76 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.49 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.06 EUR
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.64 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.33 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.71 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.97 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.06 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.35 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.05 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.74 EUR
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.05 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.84 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.94 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.44 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.83 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.53 EUR
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.55 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.55 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.59 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.39 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.58 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.36 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.69 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.13 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.42 EUR
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.65 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.46 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 7.80 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 6.89 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.34 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.19 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.49 EUR
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 8.42 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.19 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 7.58 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.17 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 6.70 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.11 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 5.62 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.80 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 5.42 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.55 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.86 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.93 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 8.91 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.89 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.54 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.08 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.57 EUR
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.24 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.60 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.12 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.91 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.78 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.01 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.70 EUR
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.33 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.50 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.29 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.24 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.20 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.93 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.88 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.32 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.67 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.06 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 20.05 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 24.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 18.04 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.84 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.94 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 19.29 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 13.34 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 16.14 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 12.99 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.72 EUR
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.48 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.47 EUR
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.54 EURBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.33 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.54 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.13 EUR
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.32 EURBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.10 EURBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.38 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.22 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 18.41 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 13.75 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 16.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.11 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.65 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.90 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.18 EUR
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.50 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.91 EUR
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.46 EURBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.66 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.25 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.20 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.28 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.01 EUR
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.87 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.26 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.69 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.04 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.49 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.80 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.34 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.63 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.25 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.51 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.16 EURBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.82 EUR
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.85 EURBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.44 EUR
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.52 EURBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.05 EUR
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.26 EURBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.74 EUR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.11 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.56 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.37 EURBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.07 EUR
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)