BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.77 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.50 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.01 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.21 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.99 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.40 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.85 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.24 USD
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.04 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.47 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.26 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.14 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.00 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.21 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.91 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.84 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.02 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.50 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.41 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.59 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.20 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.14 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.27 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.01 USD
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.46 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.28 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.18 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.74 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.72 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.97 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.98 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.87 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.67 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.49 USD
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.62 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.69 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.11 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.53 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.96 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.67 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.69 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.32 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.27 USD
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.20 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 20.88 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.26 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.44 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.32 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.55 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.81 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 14.85 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 17.97 USD
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.04 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.93 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.01 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.77 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.35 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.09 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.58 USD
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.00 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.02 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.97 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.16 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.67 USD
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.75 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.77 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.75 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.50 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.27 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.58 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.41 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.80 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.31 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.12 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.19 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.91 USD
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.00 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.74 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.71 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.31 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.27 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.22 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.95 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.46 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.75 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.00 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.49 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.48 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.96 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.63 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.71 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.33 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.20 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 20.88 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.26 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.44 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.32 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.43 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.03 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.18 USD
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.97 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.27 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.87 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 11.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.73 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.31 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.85 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.05 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.54 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.61 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 21.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 15.91 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 19.25 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.00 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 16.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.61 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.25 USD
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.31 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.10 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.71 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.57 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.58 USD
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.96 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.73 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.08 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.55 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.66 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.42 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.29 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.98 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.92 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.62 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.44 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.96 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.89 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.71 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)