BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.78 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.36 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.50 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.02 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.21 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.99 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.86 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.25 USD
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.04 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.48 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.27 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.14 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.00 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.22 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.91 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.85 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.02 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.53 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.43 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.23 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.29 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.03 USD
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.56 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.28 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.86 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.81 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.05 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.74 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.57 USD
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.73 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.83 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.21 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 15.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.62 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 14.06 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.74 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.79 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.39 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.36 USD
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.38 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.29 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.04 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.46 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.59 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.49 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.67 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.96 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 14.97 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.11 USD
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.13 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.00 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.84 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.70 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.41 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.97 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.15 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.65 USD
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.02 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.04 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.94 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 7.99 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.18 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.69 USD
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.82 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.84 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.70 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.81 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.45 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.55 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.93 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.32 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.64 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.43 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.83 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.33 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.49 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.14 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.06 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.21 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.94 USD
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.03 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.77 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.73 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.19 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.33 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.49 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.29 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.24 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.04 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.57 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.83 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.10 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.57 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.58 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.02 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.71 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.80 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.43 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.38 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.29 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.04 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.46 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.59 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.49 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.55 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.81 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.20 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.39 USD
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.05 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.95 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.80 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.64 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.37 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.12 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.61 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.64 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 21.35 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 15.94 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 19.29 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.03 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 16.98 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.63 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.28 USD
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.33 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.13 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.68 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.73 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.98 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.59 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.61 USD
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.63 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.96 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.37 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.73 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.56 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.45 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.75 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.66 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.43 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.92 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.53 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.62 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.17 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.45 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.96 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 78A; Idm: 171A; 394W
Oriģināls simbols: B3M025065Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.03 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.67 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.73 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.30 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.41 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.17 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.63 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.03 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.45 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)