BASiC SEMICONDUCTOR kategorijā Tranzistori
(58)Produktu: 58
Noliktava:
Visi
Lapa 1
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Oriģināls simbols: B3M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.80 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.39 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.52 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.05 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.23 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.70 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.00 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.43 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.88 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.27 USD
142 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170HH
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.06 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.50 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Oriģināls simbols: B2M600170H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.28 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 1.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.15 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.39 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.01 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.23 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 0.92 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 0.85 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.03 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N120HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.63 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.07 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.52 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.73 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.31 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.26 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.37 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.12 USD
5 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.61 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.46 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.32 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 14.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.84 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 13.12 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.08 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 10.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.76 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 10.60 USD
57 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH75N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.78 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.26 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 16.03 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.66 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 14.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.77 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 11.82 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.42 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 11.40 USD
29 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HC
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.46 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.11 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.65 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.72 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 19.02 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.01 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.17 USD
36 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH50N65HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.17 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.51 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.04 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.15 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.87 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.73 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.43 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.99 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.17 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.68 USD
34 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HS1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 10.12 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.24 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 9.13 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.04 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 8.06 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.75 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.24 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.76 USD
31 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Oriģināls simbols: BGH50N65ZF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 9.85 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.92 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 8.87 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.73 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 7.84 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.48 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 6.57 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 6.34 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.67 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.53 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.95 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 10.42 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 9.23 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 11.16 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.29 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.02 USD
58 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Oriģināls simbols: B2M065120Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.15 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 15.91 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 11.84 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.32 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.42 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 12.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.38 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.35 USD
26 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH75N65HF1
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 12.08 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 14.62 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 10.87 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 13.15 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.60 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.61 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.05 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 9.74 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.80 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 9.43 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 27A; Idm: 80A; 241W
Oriģināls simbols: B1M080120HK
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 23.46 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 28.38 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 21.11 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 25.55 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 18.65 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 22.56 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 15.60 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 18.88 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 15.20 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 18.39 USD
13 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Produkts ir pieejams tikai līdz noliktavas stāvokļu nobeigšanai
Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Oriģināls simbols: BGH40N120HF
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 11.08 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.41 USD
Neto cena par daudzumiem no 5 gab - 9.98 USDBruto cena par daudzumiem no 5 gab - 12.08 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 8.82 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 10.68 USD
Neto cena par daudzumiem no 150 gab - 7.39 USDBruto cena par daudzumiem no 150 gab - 8.94 USD
Neto cena par daudzumiem no 600 gab - 7.14 USDBruto cena par daudzumiem no 600 gab - 8.63 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Oriģināls simbols: B2M032120Y
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 17.80 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 21.54 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 16.08 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 19.46 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 14.16 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 17.13 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 12.75 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 15.42 USD
51 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Oriģināls simbols: B2M065120R
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 13.45 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 16.28 USD
Neto cena par daudzumiem no 3 gab - 12.24 USDBruto cena par daudzumiem no 3 gab - 14.81 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 10.82 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 13.09 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 9.68 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 11.71 USD
50 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W
Oriģināls simbols: B3M040065H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.19 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 2.65 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 1.98 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 2.39 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 1.75 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.11 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.57 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 1.90 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.46 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 1.77 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 123A; 333W
Oriģināls simbols: B2M040120H
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 1 gab - 3.70 USDBruto cena par daudzumiem no 1 gab - 4.47 USD
Neto cena par daudzumiem no 10 gab - 3.33 USDBruto cena par daudzumiem no 10 gab - 4.02 USD
Neto cena par daudzumiem no 30 gab - 2.95 USDBruto cena par daudzumiem no 30 gab - 3.57 USD
Neto cena par daudzumiem no 120 gab - 2.64 USDBruto cena par daudzumiem no 120 gab - 3.20 USD
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.47 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 2.99 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 1)
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 750V; 169A; Idm: 480A; 750W
Oriģināls simbols: B3M010C075Z
Ražotājs: BASiC SEMICONDUCTOR
Neto cena par daudzumiem no 300 gab - 3.94 USDBruto cena par daudzumiem no 300 gab - 4.76 USD
0 TME noliktavā
Gabalu skaits (Daudzkārtīgums: 300)